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石墨烯為原子級二維薄膜，擁有高比表面積及高載子遷移率等特性，可望超越現今的矽等半導體材料。然而由於吸附空氣中的氧原子及水氣造成原生的p型摻雜，因此改變石墨烯的電子結構一直是重要課題。其中氮摻雜可使石…
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近年來二維過渡金屬硫屬化合物逐漸成為大家主要的研究重點，它擁有良好的光電特性，如光電導率與載子遷移率等，二碲化鉬屬於二維過渡金屬硫屬化合物，其具有極佳的光響應度以及載子遷移率。本實驗成功 地利用化學…
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二維材料如今受到非常多的矚目, 特別是物理結構特性以及電性傳輸特性. 本研究將同樣為二維材料的石墨烯與不同比例成分之三元化合物W(SxSe(1-x))2製作成異質結構, 具有成分變化的W(SxSe(…
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本論文成功利用化學氣相傳導法合成高品質二硫化鉬 (Molybdenum disulfide, MoS2)晶體，利用機械剝離法取得厚度控制在3-5 μm之MoS2薄片。透過氧電漿處理，經電荷中性點確認…